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キーワード：
リソグラフィ / レジスト / 半導体 / メタルレジスト / メタルドライレジスト / 高NA EUV露光装置 / マスク / アンダーレイヤー
開催日時
2025年6月4日 水曜日 13:30～16:30
定員
30人
講師名
Eリソリサーチ 代表 遠藤 政孝 氏
会場
Vimeo(https://vimeo.com/jp)によるインターネットライブ配信にて開催します。ご自宅・お勤め先などから安定したネット環境にてご視聴ください。
注意事項
・インターネットライブ配信にて実施いたします。推奨視聴環境や動画の視聴テストについてはこちら をご覧ください。 ・会員の方は、マイページから動画をご視聴いただけます。 ・セミナー映像の録音・録画および配布・二次利用については、禁止いたします。 ・セミナー資料は開催前日までに送らせていただきます。 ・セミナー受講料は、開催前日までにお支払いください。 ・本セミナーは、セミナー終了1週間後まで、録画映像を参加者限定で公開いたします。 講師へのご質問は、セミナー開催時のみ承ります。
目次
【講師ご経歴】
1983年松下電器産業株式会社入社。以来同社半導体研究センター、パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センターにて、半導体リソグラフィ、レジスト(KrF、ArF、ArF液浸)の開発に従事。
2009年から大阪大学産業科学研究所にて、EUVレジストの研究開発に従事。
2024年からEリソリサーチを設立し、リソグラフィ、レジストに関する講演、調査、コンサルティング等の活動を実施。
【概要】
本講演では、最新のロードマップを紹介した後、EUVリソグラフィ、EUVレジストの最新開発動向を解説する。注目されている高NA EUV露光装置、EUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセスについても詳しく述べる。さらにリソグラフィ技術の今後の展望についてまとめる。
【プログラム】
1.ロードマップ
1.1リソグラフィ技術、レジスト材料への要求特性
1.2微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢
1.3最先端デバイスの動向
2. EUVリソグラフィ、EUVレジストの最新開発動向
2.1 EUVリソグラフィの現状と課題・対策
2.1.1露光装置
2.1.2光源
2.1.3マスク
2.1.4プロセス
2.2 EUVリソグラフィのトピックスと開発動向
2.2.1 高NA EUV露光装置
2.2.2 アンダーレイヤー
2.3 EUVレジストの要求特性と設計指針
2.3.1 化学増幅型EUVレジストの反応機構
2.3.2 化学増幅型EUVレジスト用ポリマー
2.4 EUVレジストの課題・対策
2.4,1感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
2.4.2ランダム欠陥(Stochastic Effects)
2.5 EUVレジストの開発動向
2.5.1ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
2.5.2ネガレジストプロセス
2.6 EUVメタルレジストの特徴
2.6.1 EUVメタルレジスト用材料
2.6.2 EUVメタルレジストの反応機構
2.7 EUVメタルレジストの開発動向と性能
2.8 EUVメタルドライレジストプロセスの特徴・性能と開発動向
2.8.1 EUVメタルドライレジストプロセス用材料
2.8.2 EUVメタルドライレジストプロセスの反応機構
3.リソグラフィ技術の今後の展望
【質疑応答】
1983年松下電器産業株式会社入社。以来同社半導体研究センター、パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センターにて、半導体リソグラフィ、レジスト(KrF、ArF、ArF液浸)の開発に従事。
2009年から大阪大学産業科学研究所にて、EUVレジストの研究開発に従事。
2024年からEリソリサーチを設立し、リソグラフィ、レジストに関する講演、調査、コンサルティング等の活動を実施。
【概要】
本講演では、最新のロードマップを紹介した後、EUVリソグラフィ、EUVレジストの最新開発動向を解説する。注目されている高NA EUV露光装置、EUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセスについても詳しく述べる。さらにリソグラフィ技術の今後の展望についてまとめる。
【プログラム】
1.ロードマップ
1.1リソグラフィ技術、レジスト材料への要求特性
1.2微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢
1.3最先端デバイスの動向
2. EUVリソグラフィ、EUVレジストの最新開発動向
2.1 EUVリソグラフィの現状と課題・対策
2.1.1露光装置
2.1.2光源
2.1.3マスク
2.1.4プロセス
2.2 EUVリソグラフィのトピックスと開発動向
2.2.1 高NA EUV露光装置
2.2.2 アンダーレイヤー
2.3 EUVレジストの要求特性と設計指針
2.3.1 化学増幅型EUVレジストの反応機構
2.3.2 化学増幅型EUVレジスト用ポリマー
2.4 EUVレジストの課題・対策
2.4,1感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
2.4.2ランダム欠陥(Stochastic Effects)
2.5 EUVレジストの開発動向
2.5.1ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
2.5.2ネガレジストプロセス
2.6 EUVメタルレジストの特徴
2.6.1 EUVメタルレジスト用材料
2.6.2 EUVメタルレジストの反応機構
2.7 EUVメタルレジストの開発動向と性能
2.8 EUVメタルドライレジストプロセスの特徴・性能と開発動向
2.8.1 EUVメタルドライレジストプロセス用材料
2.8.2 EUVメタルドライレジストプロセスの反応機構
3.リソグラフィ技術の今後の展望
【質疑応答】
