【第1編 基礎】
第1章 材料技術、製膜技術及びプロセス適合化技術 南　内嗣
1 はじめに
2 材料開発と製膜技術
3 ITO代替技術開発の現状
　3.1 インジウム問題
　3.2 代替材料開発
4 おわりに
【第2編　インジウムベース透明電極の現状と問題点】
第2章 インジウム化合物の毒性とITO取り扱い上の注意 田中昭代 平田美由紀 大前和幸
1 はじめに
2 実験動物におけるインジウムの影響
3 ヒトにおけるインジウムの影響
4 インジウムによる健康障害の予防と対策
5 おわりに
第3章 In2O3系とZnO系の比較的検討 矢作政隆
1 ITO(In2O3-SnO2)代替材料のニーズとIn資源問題
2 ITOとZnO系透明導電体の基本的性質の比較
　2.1 化学的安定性の比較
　　2.1.1 平衡状態図の比較
　　2.1.2 ターゲットの焼結プロセスにおける安定性
　　2.1.3 フィルムの化学的・電気化学的安定性
　2.2 点欠陥構造
　2.3 フィルムの微構造と抵抗率
3 今後の展開
第4章 In2O3系透明導電膜
1 ITOの基本特性 中澤弘実
　1.1 はじめに
　1.2 ITO(In2O3)の構造
　1.3 ITO(In2O3)の導電性,透明性の起源
　　1.3.1 導電性
　　1.3.2 透明性
　1.4 ITO(In2O3)の基本的な電子輸送機構
　1.5 実用的なITO膜の基本特性
　　1.5.1 結晶構造,結晶性の成膜温度依存性
　　1.5.2 表面形状
　　1.5.3 伝導特性
　　1.5.4 光学特性
　1.6 まとめと今後の課題
2 有機EL用透明導電膜 浮島禎之
　2.1 はじめに
　2.2 透明導電膜全般
　　2.2.1 透明導電膜の種類
　　2.2.2 透明導電膜の作製方法
　　2.2.3 低抵抗化技術(低電圧スパッタ法)
　2.3 有機EL用透明導電膜
　　2.3.1 有機ELとは
　　2.3.2 有機EL用透明導電膜に要求される特性
　　2.3.3 表面平滑ITO(Super ITO)膜の作製法
　　2.3.4 対向スパッタ法
　　2.3.5 In-Zn-O系透明導電膜
　2.4 おわりに
3 スパッタ法を用いたLCD用ITO膜の作製技術 清田淳也
　3.1 はじめに
　3.2 各種LCDにおける透明導電膜の要求特性と生産装置
　3.3 TN, STN用透明導電膜の形成方法-低抵抗ITO膜の形成
　3.4 低抵抗ITO/カラーフィルター成膜技術
　3.5 TFT画素用透明導電膜の成膜技術
　　3.5.1 H2O添加による非晶質ITO膜
　　3.5.2 In-Zn-O系非晶質透明導電膜
　3.6 おわりに
4 PDP用ITO薄膜 小川倉一
　4.1 はじめに
　4.2 透明導電材料と薄膜作製法
　　4.2.1 透明導電膜材料
　　4.2.2 透明導電薄膜作製方法
　4.3 高品質ITO薄膜作製例と諸特性
　　4.3.1 低電圧マグネトロンスパッタ法によるITO薄膜の作製例
　　4.3.2 低エネルギーイオンプレーティングによるITO薄膜
　　4.3.3 低温プロセスによるITO薄膜の比較
　4.4 今後の課題とまとめ
5 アモルファスIn2O3-ZnO系薄膜 宇都野　太
　5.1 はじめに
　5.2 In2O3-ZnO透明導電膜の特徴
　　5.2.1 電気特性
　　5.2.2 エッチング特性
　　5.2.3 アモルファスIn2O3-ZnO系薄膜の構造
　5.3 In2O3-ZnOの成膜特性
　　5.3.1 In2O3-ZnOの成膜方法
　　5.3.2 In2O3-ZnOのスパッタリング特性
　　5.3.3 In2O3-ZnOターゲットの特徴
　5.4 新規デバイスへの展開
6 酸化インジウムに対するスズおよび亜鉛以外の不純物添加 澤田　豊
　6.1 はじめに-スズ添加が最適という判断の経緯
　6.2 酸化インジウム薄膜に対する+4価金属イオンの添加
　　6.2.1 チタン添加酸化インジウム薄膜
　　6.2.2 ジルコニウム添加酸化インジウム薄膜
　　6.2.3 セリウム添加酸化インジウム薄膜
　6.3 酸化インジウム単結晶および焼結体に対する+4価金属イオンの添加
　　6.3.1 酸化インジウム単結晶に対する+4価金属イオンの添加
　　6.3.2 酸化インジウム焼結体における+4価金属イオンの添加
　6.4 +4価金属イオン添加に関するまとめ
　6.5 その他のイオンの添加
　6.6 アモルファス酸化インジウムにおけるイオン添加
　6.7 おわりに
【第3編　インジウム使用量削減の可能性】
第5章 ITOインク
1 ITOナノインクの新合成法と新薄膜化技術 村松淳司 蟹江澄志 佐藤王高
　1.1 はじめに
　1.2 従来法
　1.3 液相法単分散粒子合成
　1.4 ゲル-ゾル法
　1.5 単分散ITO粒子合成
　1.6 今後の指針
2 ITO透明導電膜形成用インクの開発とその特性 大沢正人、油橋信宏、林茂雄、小田正明
　2.1 はじめに
　2.2 ITO透明導電膜形成用インク
　2.3 インク(塗布型材料)に用いるナノ粒子
　2.4 ナノ粒子の作製法
　2.5 ガス中蒸発法と独立分散ナノ粒子
　2.6 独立分散ITOナノ粒子インク(ITOナノメタルインク)
　2.7 インクジェット法によるITOパターンの形成
　2.8 おわりに
第6章 In2O3ベース多元系酸化物透明導電膜
1 In2O3-SnO2系透明導電膜における電気光学特性のSnO2量依存性 内海健太郎
　1.1 はじめに
　1.2 評価方法
　1.3 電気特性
　　1.3.1 導電機構
　　1.3.2 酸素分圧依存性
　　1.3.3 SnO2量依存性
　1.4 光学特性
　　1.4.1 多結晶膜
　　1.4.2 非晶質膜
　1.5 結晶性
　1.6 耐候性
　　1.6.1 耐熱安定性
　　1.6.2 耐湿安定性
　1.7 まとめ
2 Zn-In-Sn-O系 南内嗣
　2.1 はじめに
　2.2 Zn-In-O系
　2.3 In-Sn-O系
　2.4 Zn-In-Sn-O系
　2.5 おわりに
第4編 【インジウム未使用代替材料の可能性】
第7章 薄膜太陽電池用透明導電膜
1 Si系薄膜太陽電池用の透明導電膜 尾山卓司
　1.1 はじめに
　1.2 Si系薄膜太陽電池の構造と透明導電膜に要求される特性
　1.3 透明導電膜の現状
　　1.3.1 SnO2:F
　　1.3.2 ZnO系透明導電膜
　1.4 今後の課題
2 CIS系薄膜太陽電池用の透明導電膜 櫛屋勝巳
　2.1 はじめに—CIS系薄膜太陽電池用透明導電膜
　2.2 CIS系薄膜太陽電池用透明導電膜の開発の歴史
　2.3 CIS系薄膜太陽電池の透明導電膜窓層開発の現状
　　2.3.1 CIS系光吸収層のバンドギャップ構造に最適なn型ZnO膜の開発
　　2.3.2 高抵抗バッファ層の材質に最適なn型ZnO膜の開発
　　2.3.3 インターコネクト部を有する集積型構造に最適なn型ZnO膜の開発
　　2.3.4 量産性のあるn型ZnO膜製膜法の開発
　2.4 まとめ—CIS系薄膜太陽電池の透明導電膜の解決すべき課題
第8章 LCD用ZnO系透明電極
1 マグネトロンスパッタ製膜と不純物共添加 南内嗣
　1.1 ITO透明電極形成の現状
　1.2 ZnO系透明導電膜の特徴
　1.3 ZnO系透明電極形成の問題点
　1.4 抵抗率分布の改善
　1.5 安定性と不純物共添加効果
　　1.5.1 耐湿安定性
　　1.5.2 不純物共添加効果
2 アークプラズマ蒸着製膜とZnO薄膜性能 山本哲也
　2.1 はじめに
　2.2 イオンプレーティング法とは
　　2.2.1 イオンが基板・薄膜に及ぼす影響
　　2.2.2 他の製膜法との比較
　2.3 反応性プラズマ蒸着法(RPD:Reactive Plasma Deposition)
　　2.3.1 アーク放電
　　2.3.2 蒸発源
　　2.3.3 基板温度
　　2.3.4 反応性プラズマ蒸着法によるZnO薄膜構造の特徴
　2.4 ガリウム添加酸化亜鉛薄膜の特性
　　2.4.1 薄膜構造の膜厚依存性とその制御
　　2.4.2 電気特性
　　2.4.3 光学特性
　2.5 おわりに
第5編 【新しい応用展開の可能性】
第9章 有機系透明導電膜 藤田貴史
1 はじめに
2 透明導電膜の現状
　2.1 ITOを取り巻く現状
　2.2 透明導電性材料
　2.3 ITOフィルムと導電性ポリマーの比較
　　2.3.1 原料
　　2.3.2 成膜
　　2.3.3 特性
　2.4 π共役系導電性ポリマー
3 PEDOT/PSS
　3.1 ポリチオフェン系導電性ポリマー(PEDOT/PSS)の特性
　3.2 PEDOT/PSSの導電性の向上
4 透明電極用デナトロンフィルム
　4.1 代表グレードの特徴
　4.2 ITOスパッタフィルムとの比較
5 パターニング
　5.1 リフトオフ法を応用した方法
　5.2 感光性デナトロン
6 用途展開
7 おわりに
第10章 TiO2系透明導電体 一杉太郎
1 はじめに
2 アモルファス成膜時の酸素分圧の重要性—シード層の導入
3 シード層の導入
　3.1 アナターゼの結晶性向上
　3.2 結晶化温度の低下
4 光学的特性
5 さらなる低抵抗化と低温プロセスに向けて
6 おわりに
第11章 近赤外線透過高移動度透明導電膜 鯉田崇
1 はじめに
2 透明導電膜の近赤外領域の光学特性と電気特性の関係
3 近赤外透過高移動度透明導電膜の材料開発
　3.1 材料開発方法
　3.2 金属原子添加による高移動度化
　　3.2.1 Ti、Zr、Sn添加In2O3エピタキシャル薄膜の電気特性比較
　　3.2.2 ガラス基板上Zr添加In2O3多結晶薄膜の電気特性
　3.3 水素原子添加および固相結晶化による高移動度化
4 おわりに
第12章 有機EL用透明電極
1 有機EL用透明電極 内田孝幸
　1.1 はじめに
　　1.1.1 透明導電膜
　　1.1.2 有機EL素子の市場の動向
　　1.1.3 有機EL素子のための透明導電膜
　1.2 有機EL素子のための透明導電膜
　　1.2.1 ボトムエミッション用TCO基板
　　1.2.2 トップエミッション用TCO
　1.3 まとめ
2 有機EL用ITO膜-平坦化ITOの成膜技術 岩岡啓明
　2.1 有機ELの特徴と透明電極に求められる性能
　　2.1.1 有機ELの特徴
　　2.1.2 有機EL用透明電極に求められる性能
　2.2 PVD法により成膜したITOの性能
　　2.2.1 成膜装置の構成
　　2.2.2 構造的特性の比較
　　2.2.3 電気的、光学的特性の比較
　　2.2.4 エッチングレート・耐久性の比較
　　2.2.5 各成膜方法におけるメリット・デメリット
　2.3 平坦化ITOの成膜技術
　　2.3.1 アニール処理による結晶化
　　2.3.2 ドーパント濃度・物質の最適化
　　2.3.3 成膜パラメータの最適化
第13章 ZnO系透明導電膜の新しい応用展開
1 PLD法による高性能透明導電膜 鈴木晶雄
　1.1 はじめに
　1.2 高性能なZnO系透明導電膜が得られるPLD(パルスレーザー堆積)法
　1.3 PLD法によるZnO系透明導電膜の作製
　　1.3.1 極めて低い抵抗率(10-5Ω・cmオーダー)を達成したAZO透明導電膜
　　1.3.2 超薄膜領域(膜厚50nm以下)のAZO透明導電膜で低抵抗率と平坦化を達成
　　1.3.3 低温(室温〜90℃)有機基板上の低抵抗なAZOおよびGZO透明導電膜
　　1.3.4 ITO(インジウム)の使用を大幅に削減したAZO透明導電膜とITOを積層させて作製したハイブリッド透明導電膜
　1.4 まとめ
2 ZnO透明導電膜の新機能 仁木栄、松原浩司、反保衆志、柴田肇
　2.1 はじめに
　2.2 次世代の透明導電膜への要求
　2.3 ZnO系透明導電膜の製膜と赤外吸収
　2.4 バンドエンジニアリング
　2.5 まとめ
3 ZnO系透明導電膜のLEDへの応用 中原健
　3.1 はじめに
　3.2 LEDと透明導電物質
　3.3 透明導電材料としてのZnO
　3.4 ZnO透明導電膜成長方法とLEDへの応用
　3.5 開発した透明電極の実力
　3.6 今後の展開と他用途への応用
4 反応性スパッタによる高速成膜 重里有三、今真人
　4.1 スパッタ成膜法
　4.2 反応性パルスマグネトロンスパッタ法(アーキングの抑制)
　4.3 プラズマ発光強度制御法とインピーダンス制御法(遷移領域の制御)
　4.4 遷移領域におけるAZOの安定成膜
　　4.4.1 DMS成膜装置
　　4.4.2 DMSプラズマ発光強度制御法
　　4.4.3 DMSインピーダンス制御法
　　4.4.4 ユニポーラパルススパッタ法
　4.5 まとめ