《基礎編》

第1章　電気絶縁性と伝導性　　　　　　　　　　　　　　　　　
　1.はじめに
　2.導体・半導体・絶縁体の現象論
　　2.1　導電率による分類
　　2.2　絶縁性セラミックスの導電機構
　　2.3　良伝導体と絶縁体の働き
　3.導体・半導体・絶縁体の電子論
　　3.1　金属・絶縁体・半導体
　　3.2　セラミックスの電気指導
　　3.3　比較的高抵抗セラミックスの電子伝導機構
　　　3.3.1　酸化物半導体などの伝導
　　　3.3.2　ポーラロンによる伝導
　　　3.3.3　ホッピング伝導
　　　3.3.4　温度による金属-絶縁体転移
　　　3.3.5　還元・酸化と原子価制御
　　3.4　イオン伝導

第2章　誘電性と強誘電性　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　1.絶縁体と誘電体
　2.誘電分極と自発分極
　3.誘電現象
　　3.1　誘電分極と誘電率
　　3.2　内部電界
　　3.3　分極の機構
　　　3.3.1　電子分極Pe
　　　3.3.2　イオン分極Pi
　　　3.3.3　配向分極Po
　　　3.3.4　界面分極
　　3.4　複素誘電率と誘電損失
　4.誘電率の周波数特性
　　4.1　誘電緩和と誘電異常分散
　　4.2　電子分極とイオン分極の周波数特性
　　4.3　配向分極の周波数依存症
　　4.4　界面分極の周波数特性
　5.強誘電性

《材料編》

第3章　絶縁性セラミックス
　1.酸化物系絶縁性セラミックス　　　　　　　　　　　　　
　　1.1　はじめに
　　1.2　酸化物系セラミックスの製造方法
　　　1.2.1　粉砕,混合
　　　1.2.2　乾燥
　　　1.2.3　成形
　　　1.2.4　焼成
　　　1.2.5　メタライズ
　　1.3　アルミナセラミックス
　　1.4　ムライト(3Al2O3・2SiO2)
　　1.5　フォルステライト(2MgO・SiO2)
1.6 ステアタイト(MgO・SiO2)
　　1.7　普通磁器
　　1.8　ガラスセラミックス
　2.窒化物系セラミックス(AIN)　　　　　　　　　　　　
　　2.1　絶縁性セラミックスとしての窒化物
　　2.2　窒化アルミニウムの概要
　　2.3　絶縁基板材料としての窒化アルミニウムの位置付け
　　2.4　窒化アルミニウムの製造と高熱伝導化
　　2.5　窒化アルミニウムの応用
　　　2.5.1　厚膜多層基板
　　　2.5.2　DBC基板
　　　2.5.3　パッケージ
　　2.6　おわりに
　3.炭化物系セラミックス(SiC)　　　　　　　　　　　　
　　3.1　はじめに
　　3.2　新SiC基板の製造方法
　　3.3　新SIC基板の諸特性
　　　3.3.1　熱的特性
　　　3.3.2　電気的特性
　　　3.3.3　その他の特性
　　3.4　メタライズ
　　3.5　半導体実装への応用
　　3.6　おわりに

第4章　誘電性セラミックス　　　　　　　　　　　　　　　
　1.はじめに
　2.強誘電体
　　2.1　強誘電体の分類
　　2.2　ペロブスカイト構造
　　2.3　チタン酸バリウム
　3.チタン酸バリウム磁器
　　3.1　チタン酸バリウム磁器の誘電率
　　3.2　チタン酸バリウムの変成
　4.磁器コンデンサー材料
　　4.1　容量の特性による分類
　　　4.1.1　温度補償用磁器コンデンサー材料
　　　4.1.2　高誘電率磁器コンデンサー材料
　　　4.1.3　半導体磁器コンデンサ-材料
　　4.2　形状による分類と電極材料
　　4.3　低温焼結と還元性雰囲気焼結
　　　4.3.1　液相焼結
　　　4.3.2　還元性雰囲気焼結

《応用編》

第5章　厚膜回路基板　　　　　　　　　　　　　　　　　
　1.厚膜回路基板の概要
　2.材料・プロセスと構成
　　2.1　構造
　　2.2　プロセス・材料
　3.素子形成
　　3.1　素子設計
　　　3.1.1　導体
　　　3.1.2　多層配線部
　　　3.1.3　抵抗体
　　3.2　厚膜形成
　　　3.2.1　印刷
　　　3.2.2　焼成
　　　3.2.3　トリミング
　　　3.2.4　検査
　4.材料・プロセスと特性・信頼性
　　4.1　基板
　　4.2　導体
　　　4.2.1　接着強度
　　　4.2.2　ハンダ付性・ハンダ耐熱性
　　　4.2.3　ボンディング性
　　4.3　抵抗体
　　4.4　誘電体
　　　4.4.1　クロスガラス
　　　4.4.2　オーバーガラス
　　　4.4.3　厚膜コンデンサ
　5.適用例と技術動向
　　5.1　適用例
　　　5.1.1　自動車
　　　5.1.2　映像・音響機器
　　　5.1.3　コンピュータ・通信機器
　　5.2　今後の技術動向
　　　5.2.1　高密度化技術
　　　5.2.2　新しい製造技術
　　　5.2.3　新しい材料技術

第6章　薄膜回路基板　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　1.はじめに
　2.サーマルヘッド
　　2.1　基本構造
　　2.2　サーマルヘッド用基板
　　　2.2.1　発熱体領域
　　　2.2.2　導体領域
　3.おわりに

第7章　多層回路基板　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　1.はじめに
　2.厚膜印刷多層方法
　　2.1　ペースト
　　　2.1.1　導体ペースト
　　　2.1.2　絶縁ペースト
　　　2.1.3　抵抗体ペースト
　　2.2　プロセス技術
　　　2.2.1　スクリーン印刷技術
　　　2.2.2　焼成方法
　3.グリーンシート多層方法
　　3.1　セラミック泥漿の作成
　　3.2　成膜
　　3.3　孔あけ
　　3.4　印刷,積層
　　3.5　焼結
　4.多層回路基板の応用
　　4.1　大型コンピュータ用厚膜多層配線基板
　　　4.1.1　Au厚膜ペースト使用多層基板
　　　4.1.2　Cu厚膜ペースト使用多層基板
　　　4.1.3　厚膜多層CR基板
　　　4.1.4　グリーンシート法LSIマルチチップパッケージ
　　　4.1.5　低温焼結多層セラミックス基板
　5.今後の動向

第8章　セラミック・パッケージ　　　　　　　　　　　　　
　1.パッケージの定義と分類
　2.パッケージ用セラミックス材料への要請
　3.高熱伝導性ニュー・セラミックスのパッケージ実装への応用
　　3.1　SiCセラミックスによるパッケージ
　　　3.1.1　ECL-LSIパッケージ
　　　3.1.2　バイポーラ・メモリICのマルチチップ・モジュール
　　　3.1.3　ピン・グリッド・アレイ・パッケージ
　　　3.1.4　半導体レーザーのサブマウント
　　3.2　AINセラミックスによるパッケージ

第9章　サージアブソーバ　　　　　　　　　　　　　
　1.はじめに
　2.サージについて
　3.サージアブソーバの種類
　　3.1　放電管型
　　3.2　固体素子
　4.マイクロギャップサージアブソーバ
　　4.1　マイクロギャップの放電性
　　　4.1.1　マイクロギャップの放電電圧
　　　4.1.2　火花の遅れ
　　4.2　マイクロギャップサージアブソーバ
　　　4.2.1　マイクロギャップサージアブソーバの特性
　5.サージアブソーバの基本回路
　6.おわりに

第10章　マイクロ波用誘電体基板と導波路　　　　　　　　　
　1.はじめに
　2.導波路
　　2.1　同軸路線と導波管
　　　2.1.1　同軸線路
　　　2.1.2　導波管
　　2.2　誘導体線路
　3.マイクロ波用誘電体基板
　　3.1　アルミナ基板
　　3.2　高誘電率系誘電体基板
　　3.3　テフロン・ガラスクロス基板
　4.まとめ

第11章　マイクロ波用誘電体立体回路　　　　　　　　　
　1.はじめに
　2.誘電体共振器材料の特性
　　2.1　マイクロ波帯における誘電特性
　　2.2　誘電体共振器の特性
　3.誘電体共振器の使用法とその応用例
　　3.1　TE01δモード誘電体共振器
　　3.2　TEMモード誘電体共振器
　　3.3　応用例

第12章　温度補償用セラミックコンデンサ(種類1)　　　
　1.温度補償用セラミックコンデンサの概要
　2.誘電体材料(常誘電体)
　3.構造(形状)
　4.種類
　5.製造方法
　6.性能規格
　7.用途別コンデンサ
　　7.1　自動挿入機用コンデンサ(種類1,2,3共通)
　　　7.1.1　ラジアルテーピングコンデンサ
　　　7.1.2　アキシァアルテーピングコンデンサ
　　7.2　チューナー・カーラジオ用コンデンサ(種類1,2,3共通)
　　　7.2.1　貫通型コンデンサ
　　　7.2.2　クサビ型コンデンサ
　　　7.2.3　円筒型コンデンサ(種類1,2,3共通)
　　7.3　中高圧用セラミックコンデンサ(種類1,2共通)
　　7.4　高圧電源用セラミックコンデンサ(種類1,2共通)
　　7.5　高周波用電力用セラミックコンデンサ(種類1,2共通)
　　7.6　高周波用マイクロチップコンデンサ(種類1,2共通)
　　7.7　トリマーコンデンサ
　8.今後の動向

第13章　高誘電率セラミックコンデンサ(種類2)　　　　　　
　1.高誘電率セラミックコンデンサの概要
　2.誘電体材料(共誘電体)
　3.構造(形状)
　4.種類
　5.製造方法
　6.性能規格
　7.用途別コンデンサ
　　7.1　安全規格認定コンデンサ
　　7.2　交流電源用コンデンサ
　　7.3　低損失中高圧コンデンサ
　8.今後の動向

第14章　半導体セラミックコンデンサ(種類3)　　　　　
　1.半導体セラミックコンデンサの概要
　2.誘電体材料(半導体)
　3.構造(形状)
　4.種類
　5.製造方法
　　5.1　堰層形(接合容量形)
　　5.2　表層形(還元再酸化形)
　　5.3　粒界層形
　6.性能規格
　　6.1　静電容量(C)
　　6.2　誘電正接合(DF,tanδ)
　　6.3　絶縁抵抗(IR)
　　6.4　温度特性
　　6.5　周波数特性(静電容量,誘電正接)
　　6.6　周波数特性(インピーダンス)
　　6.7　バイアス特性
　7.用途別特性とその展望
　　7.1　低電圧大容量コンデンサ
　　7.2　低損失,低歪率コンデンサ
　　7.3　バリスタ性半導体コンデンサ
　8.今後の動向

第15章　積層コンデンサ　　　　　　　　　　　　　　　
　1.はじめに
　2.規格
　3.容量範囲と寸法形状
　4.積層コンデンサ用誘電体材料
　5.積層コンデンサの製造法
　　5.1　誘電体粉末の作成
　　5.2　泥漿作成と成膜
　　5.3　内部電極印刷と積層・切断
　　5.4　脱バインダ熱処理と焼結
　　5.5　外部電極
　6.最近の動向
　　6.1　卑金属内部電極コンデンサ
　　6.2　低温焼結コンデンサ
　　6.3　大容量化への技術

第16章　碍子,碍管　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　1.はじめに
　2.種類と構造
　　2.1　材質による分類
　　　2.1.1磁器碍子
　　　2.1.2　ガラス碍子
　　　2.1.3　樹脂碍子(ノンセラミック碍子)
　　2.2　構造による分類
　　　2.2.1　ピン碍子
　　　2.2.2　懸垂碍子
　　　2.2.3　長幹碍子
　　　2.2.4　ラインポスト碍子
　　　2.2.5　ステーションポスト碍子
　　　2.2.6　碍管
　3.製造方法
　　3.1　磁器碍子の製作
　　　3.1.1　原料の粉砕・調合
　　　3.1.2　搾土
　　　3.1.3　成形
　　　3.1.4　乾燥
　　　3.1.5　施釉
　　　3.1.6　焼成
　4.性能
　　4.1　電気的性能
　　　4.1.1　電撃
　　　4.1.2　開閉サージ
　　　4.1.3　汚損
　　4.2　機械的性能
　　　4.2.1　強度設計
　　　4.2.2　疲労特性
　　　4.2.3　動的強度設計
　5.今後の課題
　6.おわりに

第17章　スパークプラグと絶縁セラミック　　　　　　　　
　1.はじめに
　2.スパークプラグの構造と使用条件
　　2.1　構造
　　2.2　使用条件
　3.スパークプラグ用絶縁体
　　3.1　絶縁体用セラミック材料
　　3.2　アルミナ原料
　4.絶縁体の製造方法
　5.評価方法
　6.おわりに

第18章　機能性ガラス窓　　　　　　　　　　　　　　　　　
　1.ガラス組成
　2.表面処理
　　2.1　前処理
　　2.2　表面処理法
　　　2.2.1　無電解メッキ法(附-複層ガラス)
　　　2.2.2　CLD (Chemical Liquid Deposition) 法
　　　2.2.3　ホットスプレー法
　　　2.2.4　CVD (Chemical Vapour Deposition) 法
　　　2.2.5　真空蒸着法
　　　2.2.6　スパッター法
　3.その他の機能性ガラス
　　3.1　住宅用・学校用強化ガラス窓
　　3.2　合わせガラス
　　3.3　防火ガラス
　　3.4　導電性ガラス窓
　　3.5　結晶化ガラス・オパールガラス
　　3.6　調光ガラス